S
sam_2999
Guest
Ik kwam wat papieren die verwijst naar de term stapte veld plaat waar de gate oxide wordt dikker gemaakt in de buurt van de afvoer van een LDMOS in een of twee stappen (dat wil zeggen drie niveaus van gate-oxide dikte) om doorslagspanning te verhogen. Hoe is dit verschilt van LOCOS (veld oxide groei)? Is er een krant of een boek op de fabricage die verwijst naar dat? Bedankt, Sam