simpele vraag over LED

D

desperado1

Guest
we weten dat een LED is opgebouwd uit galliumarsenide.Plus we weten ook dat het een diode met p en n kruispunten.
Normaal gezien wordt een silicium is gedoteerd met P Type geboren om te maken en met fosfor n type te maken.

we weten ook dat een LED heeft p en n type kruispunten.dan WAT IS DIT kruispunten GEMAAKT UIT?IS HETZELFDE galliumarsenide of anderen?

Thanks in advance

 
Het materiaal is afhankelijk van de kleur en merk van de LED.

Er is een tabel aan http://en.wikipedia.org/wiki/LEDs maar het kwam niet goed plakken in het bericht.

Maar bijvoorbeeld Blauwe LED's vaak gebruik van siliciumcarbide of zinkselenide.Galliumarsenide wordt gebruikt in IR LED's, onder anderen.

 
Als we zeggen GaAs LED we bedoelen in plaats van silicium of enige andere fundamentele halfgeleidermateriaal GaAs is gekozen voor substraat waar je diffuus of iets anders doen om het p-type of n-type.Er zijn vele redenen waarom in plaats van Si, in weerwil van beschikbaarheid en alle deugden we associëren met Si, kan niet worden gebruikt in LED.Vooral de golflengte en ook indirectheid van de band-gap zijn de twee belangrijkste kwesties.Maar uitgangsmateriaal kan worden GaAs-of een ander geschikt materiaal samengesteld, afhankelijk van de golflengte eis

 
hoop dat u doelt op: --<img src="http://images.elektroda.net/75_1232713038_thumb.jpg" border="0" alt="simple question about LED" title="simpele vraag over LED"/>
 
Hoi
Eigenlijk weet ik niet het antwoord!
Het enige wat ik weet is dat het waar is grammaticaal te zeggen "een LED" en niet "een LED"!
Weet je waarom!?of the word that specifies " a " or " an " .

Omdat het de eerste klank
van het woord dat aangeeft "een" of "een".
Ik hoop dat je Engels heb geholpen!

 
subharpe wrote:

Als we zeggen GaAs LED we bedoelen in plaats van silicium of enige andere fundamentele halfgeleidermateriaal GaAs is gekozen voor substraat waar je diffuus of iets anders doen om het p-type of n-type.
Er zijn vele redenen waarom in plaats van Si, in weerwil van beschikbaarheid en alle deugden we associëren met Si, kan niet worden gebruikt in LED.
Vooral de golflengte en ook indirectheid van de band-gap zijn de twee belangrijkste kwesties.
Maar uitgangsmateriaal kan worden GaAs-of een ander geschikt materiaal samengesteld, afhankelijk van de golflengte eis
 
Ga is P Type onzuiverheid, en Arseen is n type onzuiverheid.Ik denk dat het door het variëren van het aandeel van de GA en As.Corrigeer mij als ik fout ben.

 

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top