V
vreddy
Guest
wat gebeurt er met de huidige stroom in mosfet wanneer de temperatuur daalt?
kan iemand het uitwerken.? /
kan iemand het uitwerken.? /
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
A
A. Anand Srinivasan
Guest
de afhankelijkheid van de ID op temperatuur is negatief en dus wanneer er een verhoging van de temperatuur van de huidige verhogingen en vice versa ....dit is waarom mosfets niet te lijden van thermische weglopen .....
D
dkace
Guest
Het is er in de uitleg van het model:
In zwakke inversie: Id = Im * exp ((VGS-Vm) / n * φt) * [(1-exp (-Vds/φt), waar Im = (W / L) * Ik ben
φt = (k * T) / q
In verzadiging: Id = (k / 2) * (VGS-VT) ˛
Vt = VTO γ (√ Vsb φo - √ φo)
Aldus de wiskunde vinden we dat de dependance van de factor van de temperatuur is een beetje complecated.
Volgens Tsividis analyse, de dependance van de temperatuur in sterke inversionhas als volgt: een tijdelijke verhoging van de neiging om de huidige afvoer voor lage stromen te verhogen en vise versa voor een hoge stroom.De effectieve mobiliteit afneemt met de temperatuur, maar altijd afhankelijk van de huidige: hoog of laag.
D.D.
D.
In zwakke inversie: Id = Im * exp ((VGS-Vm) / n * φt) * [(1-exp (-Vds/φt), waar Im = (W / L) * Ik ben
φt = (k * T) / q
In verzadiging: Id = (k / 2) * (VGS-VT) ˛
Vt = VTO γ (√ Vsb φo - √ φo)
Aldus de wiskunde vinden we dat de dependance van de factor van de temperatuur is een beetje complecated.
Volgens Tsividis analyse, de dependance van de temperatuur in sterke inversionhas als volgt: een tijdelijke verhoging van de neiging om de huidige afvoer voor lage stromen te verhogen en vise versa voor een hoge stroom.De effectieve mobiliteit afneemt met de temperatuur, maar altijd afhankelijk van de huidige: hoog of laag.
D.D.
D.
N
naaj_ila
Guest
er zijn zo veel effecten met de temperatuur
Met stijging van de temperatuur
!) drempel spanning af .. als een effect lekstroom (wanneer de transistor is uitgeschakeld) verhogingen .... in het kort uit de huidige toename van .. op de huidige decresesBijvoorbeeld
indien veronderstellen drempel spanning 1 v.. temp dan zo is toegenomen thres volt dalen tot 0,7 V (bijvoorbeeld) .. op 0,7 transistor zal op .. maar eigenlijk moet worden uitgeschakeld .. ongeacht de stroom die uitmondt op dat volt zal de lekstroom
got it
Met stijging van de temperatuur
!) drempel spanning af .. als een effect lekstroom (wanneer de transistor is uitgeschakeld) verhogingen .... in het kort uit de huidige toename van .. op de huidige decresesBijvoorbeeld
indien veronderstellen drempel spanning 1 v.. temp dan zo is toegenomen thres volt dalen tot 0,7 V (bijvoorbeeld) .. op 0,7 transistor zal op .. maar eigenlijk moet worden uitgeschakeld .. ongeacht de stroom die uitmondt op dat volt zal de lekstroom
got it
S
sim_333
Guest
Kunt u met vermelding van eventuele euquation die enig bewijs voor dit gedrag geeft?
N
naaj_ila
Guest
sim_333 wrote:
Kunt u met vermelding van eventuele euquation die enig bewijs voor dit gedrag geeft?
Kunt u met vermelding van eventuele euquation die enig bewijs voor dit gedrag geeft?
V
venky442
Guest
EQN
Un (mobiliteit) = T ^ (-M)
hier M = 2.7 voor si elektronenm=2.5 for holes in si. VT (effectief) = VT-KT (T-T0)
Kt - positieve temperatuur constantUn (effectief) rechtstreeks prortional aan Vt (effectief)dus als de temperatuur wordt verhoogd, Id (drain stroom) kan worden verhoogd.U kunt dit zien in variaties proces hoekgroeten
Venkat Reddy
mtech (VLSI)
Un (mobiliteit) = T ^ (-M)
hier M = 2.7 voor si elektronenm=2.5 for holes in si. VT (effectief) = VT-KT (T-T0)
Kt - positieve temperatuur constantUn (effectief) rechtstreeks prortional aan Vt (effectief)dus als de temperatuur wordt verhoogd, Id (drain stroom) kan worden verhoogd.U kunt dit zien in variaties proces hoekgroeten
Venkat Reddy
mtech (VLSI)