Ik kan niet van dit recht

A

Advark

Guest
Ik ontwierp een operationele transconductance versterker, gebaseerd nl CMOS technologie 0.35um.Ik wil komen tot een gm = 1ms.Maar in het beste geval slechts een i gm tussen 0.3mS en 0.5mS.

M1 W = 23.9u L = 1U
M2 W = 23.9u L = 1U
M3 W = 2.27u L = 2u
M4 W = 2.27u L = 2u
M5 W = 4.14u L = 1U
M6 W = 4.14u L = 1U
Sorry, maar je moet inloggen om dit onderdeel te bekijken koppelingseisen

 
Hoe zit het verhogen van de huidige vooroordeel?

En je geswapt PBO's en NMOs labels?

 
Ik zal proberen dat, i
don't swap de labels Wat bedoel je?

 
Advark schreef:

Ik zal proberen dat, i don't swap de labels Wat bedoel je?
 
Ja, mijn fout.

M1, M2, M3, M4 zijn PBO's
M5, M6 zijn NMOs
Kunt u een architectuur als ik kan een over 1ms o meer voor 0.35um CMOS.
En andere ding waar kan ik een formule gevonden voor gm die verband houden met de conductances van het mos transistor.

 
GM is niet een zaak van de architectuur, is het meer over de bias en sizing.So hoger huidige -> hogere gm en hogere W -> GM

 
edge_tv schreef:

GM is niet een zaak van de architectuur, is het meer over de bias en sizing.So hoger huidige -> hogere gm en hogere W -> GM
 
Ik denk dat de generatie van I1 is belangrijk om een goede gm

 
Geen enkele andere Tourn rond:
de GM van de OTA is (gm / ID) 1 * I1 / 2

(gm / ID) 1 zou kunnen worden op
max. 22,
in de veronderstelling dat u koos voor iets als (GM / ID) 1 = 10, dan moet je I1 minstens 200uA.

Geen andere oplossing mogelijk is.Alsjeblieft, ga naar de boeken.

 
Ik ben het eens met humngus.

De grootste gm is limitted door Id.
Ik denk dat de bovengrens is 30 * id = 15 * I1.De PBO's is zwak overlevingspensioenpercentage modus nu.

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top