Hoe een MOS weerstand te realiseren?

[cheenu_2002]

Hoi,
Ik probeer gebruik van een MOSFET in plaats van een weerstand.Ik ben nieuw te ontwerpen CKT en ik vinden het erg moeilijk om deze bias.Kan iemand me helpen om weerstand te begrijpen hoe een MOS om vertekening in lineaire regio, zodat het kan fungeren als een.Ik gebruikte hierbij de CKT maar ik weet niet of het de juiste manier om MOS sluit de ...Ik heb ook dont weet hoe het meten van de CKT Vbe van de BJT in de.Zowel de basis en de emitter zijn met dezelfde spanning.Ik begrijp cudnt wat gebeurt.
Sorry, maar je moet ingelogd zijn om deze bijlage weer te geven

 

[nschutten]

Een MOSFET is in zijn lineaire gebied bij VDS <VGS-VT.Dit wordt gegarandeerd door ervoor te zorgen VD = VG als in uw diagram.Merk op dat je nodig hebt om verbinding qn0 het grootste deel van de verbinding naar GND, en niet naar de bron.Ook kunt u problemen ondervindt bias als gevolg van het gebruik van uw huidige bron (aangezien dit ideaal is, als het apparaat de afmetingen niet mogelijk voor de huidige te doorlopen die u wilt, onverwachte simulatie resultaten kunnen voordoen).
Ten slotte, in je schema de basis node verbonden is aan GND, evenals de zender node.Dus VBE = 0V.De transistor is aangesloten als een diode, niet als een transistor.

 

[Raviprasad_K]

Hoi,

Ik ben in de war door de bovenstaande verklaring.Bij VD = VG, hoe werkt het VT voldoen aan VDS <VGS-.
VD = VG is de voorwaarde om ervoor te zorgen dat de transistor in verzadiging.

 

[cheenu_2002]

VDS> VGS-VT is de voorwaarde om de verzadiging maintian de MOS in.Door tie'ing poort naar drain, de MOS kan worden ingeschakeld, maar kan worden bevooroordeeld te worden in lineaire regio of verzadiging.Pls verbeter me als ik verkeerd ben.

 

[erikl]

nschutten schreef:

node.
Ten slotte, in je schema de basis node verbonden is aan GND, evenals de zender
node.
=0V.
Dus VBE
= 0V.
De transistor is aangesloten als een diode, niet als een transistor.