Word Line Modeling in SRAM

[020170]

Word lijn is gemaakt van Salicide polysilicium in SRAM.

Salicide proces maakt polysilicium te verminderen haar weerstand.

Hoewel Salicide polisilicium hebben grotere sheet weerstand dan Metal Line.

Om SRAM Besturing, besefte ik dat ik moet overwegen vertraging in de lijn woord.

Natuurlijk, de vertraging is te wijten aan polysilicium sheet weerstand, ongeveer 10 ohm / vierkant.

En ben ik van mening capaciteit tussen metal line & woord lijn, ook.

Als gevolg hiervan, ik modelleren SRAM-cel als deze.

Is er een probleem in mijn cel modelleren?

Als er wat mijn fout, aarzel dan niet in te halen mijn fout.

Bedankt!

 

[rfsystem]

Je moet rekening houden met de WL belasting van alle niet-geselecteerde cel op het internet.In de tweede plaats van de verdeelde belasting effect zou slechter zijn voor de laatste cel.Dus met een 4 of 8 tik op het model dat u zal dichter bij de werkelijkheid.

In cadans spook kunt u gebruik maken van een bijv. M = 64 voor subschakelingen om cellen te vereenvoudigen de belasting modelleren van vele parallel aangesloten.