Wat is een diode aangesloten MOS-transistor

[lallaby]

Hallo jongens,

Ik kan het niet vinden van de pn kruising tussen de Laat en de bron van de MOSFET wanneer de Gate en afvoer zijn aangesloten.Waarom mensen zeggen dat het zich gedraagt als een diode?Is er iemand die me kan geven een dwarsdoorsnede van de MOSFET te illustreren?Thanks a lot!

Met vriendelijke groet,
lallaby

 

[LordAli]

Het hangt af van type kanaal.Als u transistor dat kunt drain-source-kanaal geleidend met 0V op de gate-source vervolgens drain-source zal gedragen als weerstand.

Als je gate-source pinnen met diode test, zult u merken dat er pn junction zoals in bipolaire transistoren in BF245.Maar de spanning op het bedieningsorgaan elektrode is meestal negatief met betrekking tot de bron.En kanaal is conductieve zelfs met 0V GS dus "weerstand gedrag tussen de D en S".

 

[kamalifard]

hoi
in de meeste commertioal MOSFET instantie of substraat wordt conected naar de bron en in de drain naar de bron is er een pn junctie is het niet zeer snel en hebben ongeveer 1000ns trr
voor de meeste schakelen aanvraag een parallel diode wordt toegevoegd aan het inherent die snel kenmerk

 

[lovellii]

Om qoute Wikipedia.

h * tp: / / en.wikipedia.org / wiki / Power_MOSFET

Citaat:

Het kan worden gezien in figuur 1 dat de bron metallisatie verbindt zowel de N en P implantations, hoewel het werkingsprincipe van de MOSFET alleen de bron om te worden aangesloten op de N zone.
Echter, als het ware, dit zou resulteren in een drijvend P zone tussen de N-gedoopte bron-en afvoer, die gelijk staat aan een NPN-transistor met een niet-aangesloten basis.
Onder bepaalde voorwaarden (onder hoge afvoer huidige, als de op-state-drain naar source spanning is in de orde van enkele volt), wordt deze parasitaire NPN-transistor zou worden geactiveerd, waardoor de MOSFET oncontroleerbaar.
De verbinding van de P implantatie bij de bron metallisatie shorts de basis van de parasitaire transistor naar zijn zender (de bron van de MOSFET) en daarmee voorkomt dat stoorsignalen vergrendelingsfunctie.Deze oplossing, maar creëert een diode tussen de afvoer (kathode) en de bron (anode) van de MOSFET, waardoor het in staat te blokkeren huidige slechts in een richting.

 

[LordAli]

Aaah, nu
ben ik in een foto.
mosfet.

Bedoel je lichaam diode tussen drain en de bron van macht
MOSFET.Het
is pn junction van parasitaire transistor.Deze parasitaire transistor is gemaakt tijdens het proces als u gemaakt MOSFET.

.

Nice papier hiervoor is: Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive circuits.Alles verklaard is.Is te vinden op de TI site of www.smps.us