verzadiging

N

neofrkh

Guest
Plz iemand me uitleggen wat er verzadiging regio en verzadigingspunt
Ik lees dat verzadiging regio als verzamelaar en is vooruit vertekend,
en verzamelaar is vooruit bevooroordeelde alleen wanneer de spanning over CE kleiner is dan 0.7V.
Dus waarom verzadigingspunt is niet op 0.7V.

 
verzadiging verwijst naar de "ON" staat van een BJT.BJTs zijn huidige bestuurde apparaten.De coventional huidige stromen uit de collector naar de zender.Idealiter zou de VCE is nul volt.0.7V is de vbe niet de VCE.Wanneer verzadigde, VCE is typisch 0.2V.Het hangt grotendeels af op de IC en de weerstand van het halfgeleidermateriaal dat vormt de verzamelaar.

 
thanx voor het helpen me
plz tell me een link of een boek dat uitlegt verzadiging in detail

 
Probeer dit:
- Analyse en Ontwerp van analoge geïntegreerde schakelingen (4de editie) door Paul R. Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis, en Robert G. Meyer

 
neofrkh schreef:

thanx voor het helpen me

plz tell me een link of een boek dat uitlegt verzadiging in detail
 
nee.transistor is in saturatin wanneer een CB kruispunten zijn forward bias en is onafhankelijk van ce kruising.in verzadiging spanning heel ce knooppunt is minder dan 0,2 volt.

 
al_valaee schreef:

nee.
transistor is in saturatin wanneer een CB kruispunten zijn forward bias en is onafhankelijk van ce kruising.
in verzadiging spanning heel ce knooppunt is minder dan 0,2 volt.
 
neofrkh,
Verzadiging, per definitie, is de toestand waarin de basis-emitter en Collector-base kruispunten zijn vooruitrijden vertekend.Er is geen vaste spanning waarop dit gebeurt.De spanning wordt is een functie van de basis stroom.Als, bijvoorbeeld, voor een bepaalde basis,
mogen de vbe is 0,5 V, dan is het apparaat is verzadigd voor een VCB van minder dan 0.5V.
Groeten,
Kral

 
Hi all,

Alleen toe te voegen enkele opmerkingen ...

Verzadiging Gewest (en het
is counter-part dwz Uitschakelingspunt regio) van Transistor worden gebruikt in digitale elektronische toepassingen Switching .... Dus elke fundamentele boek omgaan met het genoemde onderwerp kan u helpen uit ....

groeten,
Sai

 
Ik geraadpleegd veel boeken en bereikte tot de volgende conclusie:

In NPN transistor,

Verzadiging regio is als zowel de basis-emitter (BE) en de base-verzamelaar (BC) knooppunt is vooruit vertekend.

Het gebeurt alleen wanneer
V (BE) = 0,7 en V (BC)> 0 en V (CE) <0,7

Volgens de volgende vergelijkingen:
V (BC) = V (BE) - V (CE)
Als V (BE) = 0.7V;
V (BC) = 0,7-V (CE)
Dus, door de bovenstaande vergelijking, V (BC) is positief ( "forward-bevooroordeelde) alleen wanneer V (CE) is minder dan 0.7V.

En Verzadiging punt, V (CE) zaterdag, is dat minimaal punt waar DC lastlijnen snijdt de verzamelaar karakteristieke curve, en op dat moment maximaal IC (zaterdag) stromen, idealiter dit punt dient te worden bij V (CE) = 0V, maar door tot thermisch gegenereerde elektronen is tussen 0.1V en 0.3V.

Dus, V (CE) kunnen niet verder gaan onder de V (CE) zaterdag, en in sommige boeken ze ook verzadiging regio een regio onder de V (CE) zaterdag,
dat wil zeggen tussen 0 <V (CE) <0,3, dus dit oke als V (CE) z / w 0 tot 0,3 V (BC)> 0 en V (CE) <0.7.

 
neofrkh,
U bent correct in uw kwalitatieve definitie van verzadiging.Echter, zoals ik in mijn eerdere post, er is geen vaste waarde van VCE waar verzadiging optreedt.De basis-emitter diode spanning is een exponentiële functie van de huidige basis, en is daarom niet een vaste spanning.Voor typische waarden van vooroordeel, het is ergens rond 0.65V, maar het verschilt met de huidige basis.Ongeacht de vbe is satuaration bestaat wanneer de VCB is minder dan dit vbe waarde.
Groeten,
Kral

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top