Vdsat en Vth (za)

[jamesbond939]

Dit is een fundamentele vraag.

Vanaf het plein wet-model:
Vdsat = Vgs - Ve

Als vijfde van een proces te verhogen, moeten we hoger Vgs om het apparaat te zetten toch?Met andere woorden zal de Vdsat blijven hetzelfde voor verschillende Ve?

Waarom zeggen we dat als vijfde van een proces te verhogen, zal de hoofdruimte dalen?

 

[erikl]

jamesbond939 schreef:

Vdsat = Vgs - Ve

 

[ankitgarg0312]

we gebruiken mosfets in diode configuratie veel tijd om vertekening en de huidige bronnen, genereren,,
deze diode worden gemaakt door het aansluiten van afvoer en gate terminals zo vds = vgs en het apparaat zal altijd in verzadiging voor altijd ...

met toename van de VTH u zal toenemen tot vgs overdrive voor MOSFET, onderhouden,
toename van vgs zal vds toename van de diode-configuraties, zodat spanning ruimte voor andere apparaten (M1) zal dalen ....zie schema in bijlage

 

[jamesbond939]

Bedankt voor het antwoord.Ik heb nog enkele vragen.

Stel dat mijn ontwerp niet bevat diode verbonden structuren.
Ook veronderstellen dat er geen verlaging van de voedingsspanning.

Ik ben alleen met behulp van eenvoudige huidige spiegel en hoge-swing cascode huidige spiegel.Zal de toename van de vijfde vermindert de spanning ruimte voor mijn ontwerp.

Ik weet dat de huidige cascode spiegel dit probleem zou kunnen hebben omdat het 2VDsat behoeften Ve om voor zowel de transistor in verzadiging.Maar in high-swing cascode huidige spiegel, ik alleen 2VDsat moeten ervoor zorgen dat de transistoren in verzadiging.

Betekent dit dat voor de lopende spiegel design, hoeven we alleen maar zorgen te maken over spanning hoofdruimte wanneer de vijfde verhoging voor cascode structuur?

Is er een andere constructies, andere dan de huidige cascode spiegel en diode aangesloten transistor in analoge ontwerp dat het probleem met de spanning hoofdruimte wanneer de vijfde verhogen?