over de berekening van de LC-VCO

[Ding Yan]

Hi guys,

Ik heb een beetje in de war in het bepalen van de parameters in LC VCO.Normaal gesproken maken de mensen gmRtank> 2.Ik heb niet de juiste Varactor model, dus ik neem de Q-waarde is twee keer van de spoel.Dus ik mijn ontwerp, maak ik gmRinductor> 3.

Ik heb PI inductor model van ASITIC en de Q-waarde is iets rond de 15 @ 5GHz.Ik denk niet dat het betrouwbaar is, omdat ik geen rekening heeft de wervelstroom in aanmerking.Dus nogmaals, veronderstelde ik Qinductor is 10.Zo ontmoet ik het volgende probleem:

1.Toen ik de shunt weerstand van de spoel te berekenen, gebruik ik wLQ of RS * Q * Q?(de RS is ongeveer 1,5 ohm), indien IQ = 15, wLQ = R * Q * Q.Toch neem ik aan Q kan niet bereiken zoals een hoge waarde.Dus wat moet ik doen?

2.Stel dat de Rinductor is 300 ohm, dient de gm groter zijn dan 0,01 volgens gmRindctor> 3.Dus, hoe kan ik het bepalen van de W / L van de NMOS?Ik gebruik 1V leveren.Kan ik alleen van toepassing 1V spanning op de drain en gate terminals en evalueren de GM met 2Id / (VGS-Ve)?Please help.THX

 

[mengcy]

U moet eerst bepalen welke structuur u wilt de GM use.Then kan worden berekend door de operationele punt.

 

[Borst]

Hoi,

In uw voorbeeld, hoe wij die berekenen de gmRtank> 2?

Bedankt!