V
vreddy
Guest
Kan iemand kort abt hot electron effect??& Hoe het kan b geëlimineerd?
bedankt
bedankt
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
N
news
Guest
Mark Zuckerberg rozmawiał z Barackiem Obamą o inwigilacji w Internecie. W podobnym czasie Edward Snowden mówił uczestnikom festiwalu SXSW o konieczności szyfrowania sieciowej aktywności. Czy wolny Internet to przeszłość? O potrzebie ochrony danych i sposobach zachowania prywatności opowiada Paweł Wujcikowski, ekspert ds. bezpieczeństwa Spy Shop.
Read more...
Read more...
K
Kalli
Guest
1) Dit is hot electron is het gevolg van de inkrimping van de technologie.Als we over de vermindering van de lengte van de poort, het elektrisch veld in de afvoer van de transistor toeneemt (voor een vaste drain voltage).
2) Het veld kan zo hoog geworden dat elektronen worden bijgebracht met genoeg energie om te worden wat wordt genoemd als "hot".Deze elektronen effect van de drain, loskomt holes.If deze elektronen treden gateoxide, zal het huidige poort.
3) Dit kan leiden tot aantasting van het apparaat parameters zoals thresold huidige, subthreshold huidige en Transconductance.
Dit kan worden verminderd door de invoering van afstandhouders in het ontwerp.Dit kan vermeden worden door het verminderen van de spanning (Maar als u dit doen, de essentie van VLSI is niet voldaan).
Voor meer informatie kan U verwijzen naar Solid State Electronic Devices door
Ben G & Streetman Sanjay Banerjee.
2) Het veld kan zo hoog geworden dat elektronen worden bijgebracht met genoeg energie om te worden wat wordt genoemd als "hot".Deze elektronen effect van de drain, loskomt holes.If deze elektronen treden gateoxide, zal het huidige poort.
3) Dit kan leiden tot aantasting van het apparaat parameters zoals thresold huidige, subthreshold huidige en Transconductance.
Dit kan worden verminderd door de invoering van afstandhouders in het ontwerp.Dit kan vermeden worden door het verminderen van de spanning (Maar als u dit doen, de essentie van VLSI is niet voldaan).
Voor meer informatie kan U verwijzen naar Solid State Electronic Devices door
Ben G & Streetman Sanjay Banerjee.