gm id-methode

  • Thread starter Chan-Hsiang Weng
  • Start date
C

Chan-Hsiang Weng

Guest
toen ik het circuit te simuleren, en de plot gm / Id vs Id / W, moet th Vds worden vastgesteld.

maar hoe te repareren?Mijn simulatie voorwaarden is tsmc18rf en gebruik een enkele NMOS.

Vdd = 1.8V, Ib = 2mA, RL = 159, C = 10pF, net dezelfde voorwaarde met Boris hand-out

maar ander proces, hoe moet ik doen om vast vds?net plus een ideaal vds tussen

drain en source?Ik voel dat dit onredelijk is.kan iemand me kan beantwoorden de

vraag?bedankt

 
De volgende link kan worden helpfu.
http://www.cisl.columbia.edu/grads/anu/ta/ee6312/S07/hw2_S05.html

 
Ik denk aan GM perceel / ID Vs Genormaliseerde huidige Vds is niet vast.
Aan GM perceel / ID Vs ID / W een diode (Drain en Gate kortgesloten) configuratie dof de transistor aangesloten wordt gebruikt.en de voedingsspanning aangesloten op afvoer met vegen van 0 tot (bijvoorbeeld) VDD.
Lees de volgende aangehecht doc (3e subdeel).Ik denk dat dit nuttig zijn voor u.
Sorry, maar je moet inloggen om deze gehechtheid

 
Id / W vs gm / Id hangt niet af om eerst orde op Vds, die genoeg is voor ontwerp nauwkeurigheid doeleinden.Deze omstandigheden, kunt u verbinding poort naar drain of u kunt een spanningsbron vast te stellen de afvoer, een andere aan de poort en vegen de poort een.Maar wees voorzichtig om de transistor in verzadiging te houden.Als je het aansluit zoals diode is altijd in verzadiging.

 
Id / W vs gm / Id niet afhankelijk van de eerste orde op Vds
Sutapanaki hi, annuleerteken u plz tell me dit in meer detail ....
Wat ik heb gezien is meestal diode aangesloten confuration wordt gebruikt voor het perceel Stroomdichtheid perceel.
Maar voor subthreshold regio Current Density Plot had ik gebruikte vaste bias op afvoer.en veriable op gate.Eventhough Gm / ID Vs Id / W wordt gebruikt voor alle transistor regio's.

 
Ik zal proberen om u een soort van een hand-wuivende uitleg.Stel een transistor met Vds = 0 en Vgs> Ve.Uiteraard een triode gebied van de werking en het bedrag van Vgs boven Ve definieert hoe dik het kanaal te zijn, dwz hoeveel kosten we hebben daar.Start nu het verhogen van de Vds.Wanneer Vds = Vdsat, knijpt het kanaal uit bij de afvoer zijde en transistor gaat in verzadiging, maar we hebben nog de hele Vds over het hele kanaal.Verdere verhoging van de Vds zal bewegen de pinch-off point de richting van de bron.De spanning over het kanaal is nog steeds ongeveer Vdsat en het verschil tussen VDS en Vdsat valt over de uitputting regio tussen het uiteinde van het kanaal en de afvoer.Maar Id nog steeds grotendeels bepaald door het kanaal van de vergoeding niet door de uitputting regio en met het bedrag van Vgs.Dus is de gm.Dus, heeft gm niet veranderen met Vds, heeft id niet veranderen met VDS en gm / id niet veranderen met Vds.Uiteraard is dit zeer zeker een ideale geval.Er zijn tweede orde effecten zoals DIBL dat doen tot op zekere afhankelijkheid van gm / ID op Vds, maar ik denk dat die kon worden genegeerd.
Een meer wiskundige uitleg en uitgaande plein wet transistor:
Id = K (Vdsat) ^ 2 (1 lambda.Vds) (1)
gm = dI / dVgs = 2KVdsat (1 lambda.Vds) (2)
van (1) en (2) volgt:

gm / Id = 2/Vdsat

en er geen afhankelijkheid van Vds.

In subthreshold de MOS transistor is ook meer als een bipolaire met een zwakke afhankelijkheid van Vce of Vds.Dus ongeacht hoe je je simulaties doen - diode aangesloten of met een vaste afvoer spanningsbron u moet krijgen vergelijkbare resultaten.Echter, als je per ongeluk de transistor in triode zetten, dan zul je ook nog wat afhankelijkheid van Vds.rajivbhatia wrote:

Id / W vs gm / Id niet afhankelijk van de eerste orde op Vds

Sutapanaki hi, annuleerteken u plz tell me dit in meer detail ....

Wat ik heb gezien is meestal diode aangesloten confuration wordt gebruikt voor het perceel Stroomdichtheid perceel.

Maar voor subthreshold regio Current Density Plot had ik gebruikte vaste bias op afvoer.
en veriable op gate.Eventhough Gm / ID Vs Id / W wordt gebruikt voor alle transistor regio's.
 
holddreams wrote:

Hoe kom je met behulp van GM spook simulator?
 
Ben je het over 2D datamatrix codes.if is dit uw vraag kan ik helpen.

 
Sluit de drain naar VDD en de bron aan GND.
Don t nodig heeft weerstand.

 
holddreams wrote:

Hoe kom je met behulp van GM spook simulator?
 
Raadpleeg het document bedoeld door amitjagtap (gm-id-voorbeelden.pdf), pagina 4, en pagina 7 (intrinsieke Gain Simulatie), wat is de reden dat GM * ro zal dalen na bepaalde spanning vds = 1,6 of zo in dat geval ?Ook volgens haar stap 2, hoe te nemen deritive van ID vs Vds van de SPICE-uitgang datapoints, moeten we aan de uitgang van de stap klein genoeg zodat de deritive zal worden benaderd door (Id (n)-Id (n make - 1)) / (Vds (n)-Vds (n-1))?

Bedankt,

 
gm * ro druppels gevolg van een daling ro voor hoge Vds.Er kunnen verschillende effecten voor deze - drain fungeert in feite als een tweede poort toenemende Id, ook grotere Vdb betekent meer stroom te keren door de afvoer-bulk knooppunt (voor de moderne technologieën).Mogelijk ook enig effect zoals punch-through-kanaal als de lengte is te klein.Kortom, Id verhogingen voor hogere Vd en ro druppels.
Voor de afgeleide - elke goede simulator moeten na verwerking van de resultaten waar u derivaten en andere wiskundige bewerkingen kan doen.Moet geen big deal.

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top