De effact van W en L voor Ve van MOS transitor

S

shqzhao

Guest
hi, kunt u mij wat adviezen? voor MOS transitor waarom vijfde afnemen wanneer L afnemen? en vijfde verhogen wanneer W afnemen? Bedankt
 
Welnu, in submicron proces, als L afneemt, de korte-channel-effecten zijn meer op de voorgrond. Bijgevolg, effecten zoals DIBL verminderen de vijfde van de transistor. Ik heb gezien dat Ve verandert met W in submicron technologieën, maar ik niet de exacte reden achter weten. Wanneer de breedte te klein is (vergelijkbaar met L), dan is er zoiets als smalle breedte werking, die de vijfde van het toestel vermindert.
 
Bedankt! Ican't materiaal kunnen vinden dat de manier waarop W invloed op de vijfde ook.
 
Voor korte kanaal Vde vs W en L gecorreleerd met proces type. Ik denk dat Ve te verhogen, terwijl w daling misschien een ondiepe greppel isolatie worden. De parasitaire condensator in de breedte richting eindigt krijgt meer gewicht als de breedte te krijgen smal.
 
vt daling met een vermindering van L als gevolg van korte kanaal effect en de VT toenemen als gevolg van de breedte daling als gevolg van geringe breedte-effecten
 
Hallo, In eenvoudige termen ...., Een kanaal is een geleidend pad voor de vervoerders van de bron om uit te lekken .... en als we drempel spanning definiëren als de minimale gate-spanning nodig is om een geleiding pad vorm .... en als kanaal vermindert de gate-spanning die nodig o zet het apparaat af ... dus Ve ook af ... regds, Anup
 
Hoi, Als je leest een van de boeken over CMOS basics vindt u uitleg, samen met het wiskundige deel. CMOS VLSI Design By Weste is een zeer goed boek.
 
er is ook omgekeerd Ve moudulation effect als u verdere daling L voor vergelijkingen boek gelezen Tsividis ...
 
Ik denk het niet! Eigenlijk, Ve is bijna nondepent op L of W bij het L of W is groot (niet kort of smal MOS). Maar als L of W verlagen, zou de Ve toenemen. Je zal de reden en de formule op het boek van Neman zien, sorry, ik niet kan herinneren de exacte naam van het boek, het is op halfgeleider. Eigenlijk kunnen we afleiden het resultaat van proces gieterij het dossier. Het vertelt ons als u wilt een lage Ve proces te gebruiken, konden we geen gebruik van minimun L meer, maar gebruik maken van verschillende tijden van het minimun L. BR, Alex
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top