CMOS spoel met verschillende substraat weerstandsvermogen

H

hermit2003

Guest
Hallo, iedereen.

Nu heb ik een EM-simulatie vraag over CMOS inductor met verschillende substraat weerstandsvermogen

de spoel layouts (N = 4.5, zijn W = 10um, S = 2um en Rin = 60um) en procesparameters hetzelfde en het substraat weerstandsvermogen is 1000, 100, 10, 1, 0.1 respectievelijk de unit Ohm.cm.

de theorie is dat als de ondergrond weerstand lager is, de Q-factor van de spoel is lager als gevolg van de meer ernstige invloeden van lagere substraat weerstandsvermogen.

maar van EM-simulatie resultaten, is de situatie anders.
de EM-simulatior is momentum, en de configration is gecontroleerd met gemeten spoelen.

Q1, 3,5,7,9 is de een-poort Q-factor van de spoel met verschillende substraat weerstandsvermogen (1000, 100, 10, 1, 0.1) respectievelijk, zoals weergegeven in figuur.

als voor Q1, Q3, Q5, de Q-factor is lager en coherent is met de theorie.
Maar als voor de Q7 en Q9, het substraat weerstandsvermogen is lager, de Q-factor hoger is omgekeerd.

ja, kan iemand me helpen om de reden uitleggen of vinden een fout?
thanks a lot.

 
Als je het zelf resonantie frequenties van de spoelen, No1, 3,5 ze zijn allemaal hetzelfde, maar Nee, veel lager is dan 7,9 others.So kijken, spoel waarden zijn niet hetzelfde meer.
Zero kruisingen zijn op hetzelfde moment zelf resonantie frequenties.
Ik denk, omdat wervelstroom (Ik veronderstel dat het de spoel is niet afgeschermd door uitgebroed Polysilicon laag) inductor waarden worden verschillende ..
Het is mijn interpretatie ..

 

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top