| Auteur | Bericht |
|---|
dineshbabumm
Geworden: 07 december 2005
Posts: 125
Geholpen: 8
|  12 maart 2007 15:22 verticale BJT | | |
|
| | Het is een bekend feit dat BJT meer is sneller dan CMOS .. Kan iemand duidelijk maken waarom het zo is? Beide heeft zijn eigen capacitances .. Mijn vrienden vertelde me haar misschien te wijten aan hun Transconductance .. Anyways kan iemand een duidelijk beeld geven met staven antwoord please? |
|
| Terug naar boven | |
 |
dkace
Lid geworden: 13 juni 2002
Posts: 365
Geholpen: 24
Locatie: Griekenland
| 12 maart 2007 15:29 beperkingen van BJT | | |
|
| BJT sneller dan CMOS. In welk probleem? Sneller switvhing on / off? Sneller over de tijd dat de productie zal worden bleek na ingang wordt toegepast?
D. |
|
| Terug naar boven | |
|
dineshbabumm
Geworden: 07 december 2005
Posts: 125
Geholpen: 8
| 12 maart 2007 15:54 BJT sneller cmos | | |
|
| | dkace wrote: | BJT sneller dan CMOS. In welk probleem? Sneller switvhing on / off? Sneller over de tijd dat de productie zal worden bleek na ingang wordt toegepast?
D. |
Ik denk BJT is sneller dan MOS meestal in alle aspecten ... Maar over het algemeen mensen verwijzen BJT is nuttig in te schakelen bij hoge frequentie dan MOS .. Kan u plz duidelijk maken waarom is het zo? Ook isnt BJT sneller dan MOS in alle aspecten? |
|
| Terug naar boven | |
|
Mohammed Yahia
Lid geworden: 30 maart 2006
Berichten: 91
Geholpen: 5
| 12 maart 2007 16:10 BJT afmetingen | | |
|
| Als we praten over hogere m
de poort in de CMOS is laterale en de basis in BJT verticaal is
technologie kunnen we verstandig verticale afmetingen controleren meer dan de laterale dimensies gedurende de productie zodat we kunnen schaal vaststelling van de grondslag breedte meer fundamenteel basis breedte is nu in het bereik van 35 nm als basis breedte verlaagt de grondslag doorvoer tijd afneemt zodat ft stijgt |
|
| Terug naar boven | |
|
dineshbabumm
Geworden: 07 december 2005
Posts: 125
Geholpen: 8
| 12 maart 2007 16:14 NMOS sneller dan cmos | | |
|
| | Mohammed Yahia schreef: | Als we praten over hogere m
de poort in de CMOS is laterale en de basis in BJT verticaal is
technologie kunnen we verstandig verticale afmetingen controleren meer dan de laterale dimensies gedurende de productie zodat we kunnen schaal vaststelling van de grondslag breedte meer fundamenteel basis breedte is nu in het bereik van 35 nm als basis breedte verlaagt de grondslag doorvoer tijd afneemt zodat ft stijgt |
"wij kunnen controleren verticale afmetingen meer dan laterale dimensies"
Waarom is het zo? Annuleerteken u plz staven de verklaring?
"gedurende de productie zodat we kunnen schaal vaststelling van de grondslag breedte meer fundamenteel basis breedte is nu in het bereik van 35 nm als basis breedte verlaagt de grondslag doorvoer tijd afneemt zodat ft verhoogt"
Maar MOS neemt veel kleiner gebied dan BJT en dat is de reden waarom we gebruiken in het MOS-IC's in het algemeen goed? Hoe werkt dit rechtvaardigt het antwoord? |
|
| Terug naar boven | |
|
Mohammed Yahia
Lid geworden: 30 maart 2006
Berichten: 91
Geholpen: 5
| 12 maart 2007 17:13 vergelijk verticale laterale BJT cmos | | |
|
| de laterale richtingen zijn minder gecontroleerd door de diffractie van licht in fotolithografie dit is een factor die invloed hebben op de dimensies
maar verticale component niet worden beïnvloed door deze factor
ja de MOS is kleiner gebied dan CMOS maar de basis is de kleinste breedte hebben we de neiging om de basis erg smal maken
Toegevoegd na 52 minuten:
parasieten ook vanuit het oogpunt van de BJT heeft slechts twee capacitances maar de mosfet we hebben 6 (de 5 getoond en de oxide capaciteit) capacitances als we een capaciteit tussen elk van de vier havens verwachten dus het is tijd om deze capacitances rekening neemt (de MOSFET is een self geladen toestel)
 |
|
| Terug naar boven | |
|
Google
AdSense
| 12 maart 2007 17:13 Advertenties | | |
|
|
|
|
| Terug naar boven | |
|
barath_87
Lid geworden: 07 februari 2006
Posts: 171
Geholpen: 10
| 14 maart 2007 2:22 laterale verticale BJT | | |
|
| | Denk na over de frequentiekarakteristiek van een diode, het is een zeer snel apparaat dat gebruikt kan worden om te werken bij hoge frequentie eveneens in een BJT heb je twee halfgeleiderjuncties ... in een MOS de heffing vervoerder heeft te Travell langs de volledige lengte van het kanaal (bron om drain) onder invloed van een verticale veld ... dus BJT's zijn veel sneller dan amd CMOS worden gebruikt in hoge frequentie toepassing. |
|
| Terug naar boven | |
|
SkyHigh
Geworden: 13 januari 2005
Posts: 376
Geholpen: 51
| 14 maart 2007 3:16 wat weerstanden maken NMOS sneller dan de CMOS | | |
|
| Sorry voor commentaar, maar ik denk dat niemand van u beantwoord zijn vraag.
Misschien niemand van u weet waarom BJT is sneller dan MOS, hoewel velen van u geprobeerd, maar uw begrip is niet eens dichtbij.
In het algemeen, bij de vergelijking van een monolithische BJT en een monolithische UJT zoals MOS:
BJT heeft een basis, bestemd voor gat vervanging. Dit is als een minderheid vervoerder buffer voor elektronen. Onder het hoge elektrische veldsterkte op de Collector, de meeste van elektronen worden versneld. Die versnelling is afhankelijk van Vce en HFE.
MOS is geen buffer. MOS is afhankelijk van inversie (ongeacht zwak of sterk) uit te voeren tussen bron en afvoer, waardoor het kanaal vormt een aanzienlijke weerstand (Ron).
Als een apparaat werkt over een langere periode van tijd, warmte laat Ron verhoogt, vermindert dit maximale bandbreedte.
Parasitaire caps op BJT is relatief minder groot dan in MOS omdat dergelijke caps voornamelijk tussen de knooppunten te emitter. Er parasitaire caps leveren weinig beperkingen BJT. Echter, parasitaire caps in MOS vertonen invloed binnen in het apparaat laterale structuur, inter-referencing bron, poort en afvoer. Sommige zijn ignorable bij hoge frequentie model, maar nog steeds de inherente CGS, CGD zijn cd's zijn altijd daar!
Heeft echter MOS geëvolueerd van lange-kanaal naar de korte-kanaal, aan HEMT, FinFET en zelfs tot het verlengen van het gebruik van SOI. De kloof wordt gesloten. |
|
| Terug naar boven | |
|
jinnose
Lid geworden: 24 februari 2007
Berichten: 20
Geholpen: 1
| 14 maart 2007 5:37 gm BJT vs cmos | | |
|
| | in termen van gm ... voor dezelfde bias huidige GM van BJT zal worden 4-10X hoger dan GM van MOSFET. |
|
| Terug naar boven | |
|
dkace
Lid geworden: 13 juni 2002
Posts: 365
Geholpen: 24
Locatie: Griekenland
| 14 maart 2007 8:40 gm BJT | | |
|
| Ik ben het volkomen eens met SkyHigh. Er is geen mysticus ontwikkeling van micro-elektronica en alle paracitics gemakkelijk kunnen worden gevonden. Probeer in te gaan op de fysica van het apparaat niet op de uitkomst waargenomen!
D. |
|
| Terug naar boven | |
|
